美光93亿美元扩建广岛项目动工 预计2028下半年出货HBM
当地时间周六（7月4日），美光科技正式启动其位于日本西部广岛工厂的扩建工程。
这项总投资达1.5万亿日元（约合93亿美元）的项目，旨在生产包括高带宽存储器（HBM）在内的先进存储芯片，以满足人工智能（AI）浪潮带来的旺盛需求。
HBM是英伟达AI处理器的关键组件，工厂预计将于2028年夏季左右开始出货。为支持该项目的建设，日本经济产业省已承诺提供最高5000亿日元的补贴。
美光科技首席执行官SanjayMehrotra在奠基仪式上表示，“美光首批用于人工智能核心存储技术——HBM的生产晶圆，就是在广岛制造的。”
美光于2013年收购破产的日本DRAM制造商尔必达存储器公司（ElpidaMemoryInc.）后，接管了广岛工厂。
美光日本分公司代表董事KotaNosaka表示：“广岛工厂最大的优势在于，能够快速向客户交付最先进、高性能的产品。在这里开发下一代芯片，直接关系到美光的整体战略布局。”
尽管日本在先进芯片材料和设备领域拥有众多领先企业，但在成品半导体制造领域已逐渐失去主导地位。Nosaka透露，目前广岛工厂所需芯片材料约80%来自日本本土供应商。
美光表示，日本工厂扩建后，将有助于提升面向人工智能服务和自动驾驶汽车所需芯片的能效和数据传输效率。
日本经济再生大臣赤泽亮正发表讲话称，半导体不仅支持DX（数字化转型）和GX（绿色转型）的实现，而且从经济安全的角度来看，也是极其重要的战略材料。
连同研发支持资金在内，日本政府迄今已累计为美光提供约7750亿日元的支持。
“随着我们进入人工智能时代，对半导体的需求预计将迅速增长。”赤泽亮正还提到，如果未来有其他海外芯片企业希望在日本建设工厂，政府也将“竭尽所能”提供支持。
近期，美光、三星电子和SK海力士各自都宣布了扩充制造能力的计划。
本周早些时候，SK海力士宣布，计划投资80万亿韩元（约合514.6亿美元），在韩国忠清北道首府清州市新建一座NAND存储芯片工厂。
（文章来源：财联社）
来源：东方财富网
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